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memoria dinamica ad accesso casuale sincrona e potenziata
(Enhanced SDRAM)
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Un sistema inventato dalla società americana Enhanced Memory System per ridurre la latenza di accesso alla memoria centrale, cioè il tempo che intercorre tra quando i dati vengono richiesti e quando questi diventano effettivamente disponibili sui piedini di uscita della memoria. Consiste nel montare allÆinterno dei chip di SDRAM (memoria dinamica sincrona) alcune veloci cache costruite con tecnologia SRAM (memoria statica). Il chip risultante può funzionare a 100 e 133 MHz con un tempo di ciclo di 37,5 nanosecondi contro i 72 nanosecondi tipici di una SDRAM (il tempo di ciclo misura lÆintervallo che intercorre tra unÆoperazione di lettura in memoria e la successiva).
Il componente può anche reggere trasferimenti continuati di bit alla frequenza di 133 MHz con una velocità di 900 MByte al secondo. La ESDRAM rende al meglio in un contesto multitasking, come nei server e nelle workstation di fascia alta, dove la memoria deve rispondere a diverse richieste contemporaneamente. Si tratta di una tecnologia proprietaria e perciò può essere utilizzata solo con il consenso di Enhanced Memory Systems. La prima a utilizzarla è stata Digital Equipment sulle workstation Alpha. Vedi anche CacheRAM e VCM.
Come nel caso della memoria VCM, la cache viene utilizzata per contenere una copia del registro di riga, indispensabile per accedere alle informazioni contenute in memoria.
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